[发明专利]晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质有效
| 申请号： | 202110242095.8 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113009321B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李创锋 | 申请（专利权）人： | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人： | 李雪鹃;杜亚明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质，所述方法应用于晶圆，所述晶圆包括多个待测量单元，所述方法包括：获取所述晶圆上每个所述待测量单元的漏电流；根据所有所述待测量单元的漏电流，获取漏电流中位数及漏电流第一统计特征值；根据所述漏电流中位数及所述漏电流第一统计特征值，获取漏电流偏移量；根据所述漏电流中位数及所述漏电流偏移量，获取漏电流测量阈值；根据所述漏电流测量阈值筛选所述待测量单元。本申请实施例提高晶圆中芯片筛选的准确性和覆盖率，提升芯片的可靠性，降低芯片使用过程中的不良率。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 测试 方法 装置 晶圆级 测试仪 存储 介质 | ||
【主权项】：
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