[发明专利]一种TMR芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202110242889.4 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113061855A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;朱红艳;朱家训 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种TMR芯片的制备方法，包括以下步骤：晶圆清洗，采用有机溶剂和去离子水交替清洗晶圆，然后用惰性气体吹干晶圆，再将晶圆烘干；离子清洗，对晶圆采用惰性气体进行离子清洗；负偏压低气压磁控溅射，将晶圆放入溅射设备腔体中，使用偏压电源在晶圆和设备腔体之间施加‑200～‑2000V的负偏压，在低于0.3pa的气压条件下进行磁控溅射；退火，退火温度为250～400℃。本发明方法从TMR芯片制备过程中材料生长的全局出发，考虑了在薄膜生长中的各环节影响膜层结合力的因素，并给以针对性的解决方案，使得TMR芯片膜层结合力良好，能经受住后续微加工环节的各种考验。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tmr 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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