[发明专利]一种基于浅刻蚀多模干涉耦合器的偏振不敏感型光功分器有效

专利信息
申请号: 202110243482.3 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN112904477B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 肖金标;陈禹飞 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G02B6/10 分类号: G02B6/10;G02B6/122;G02B6/28
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 徐激波
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于浅刻蚀多模干涉耦合器的偏振不敏感型光功分器,由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、光功分部件和上包层,其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面,上包层覆盖掩埋氧化层的上表面,光功分部件水平生长于掩埋氧化层的上表面,并被上包层覆盖。本发明能够实现偏振不敏感的功能,并且大大降低光功分器的插入损耗,提高器件工作带宽,缩短器件的尺寸,降低器件的制造难度。
搜索关键词: 一种 基于 刻蚀 干涉 耦合器 偏振 敏感 型光功分器
【主权项】:
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