[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，包括：在衬底上形成第一叠层结构，第一叠层结构包括在垂直于衬底的方向上多层交替层叠设置的栅极牺牲层和绝缘层；在第一叠层结构上形成隔离层；形成穿过隔离层和第一叠层结构的第一沟道孔；在第一沟道孔底部通过选择性外延生长形成外延层，其中，衬底相对于隔离层的选择性外延生长选择比，大于衬底相对于第一叠层结构背离衬底的最外层的选择性外延生长选择比，从而在外延生长过程中，能够减少叠层结构上外延聚集块的形成，进而提高三维存储器的良率及可靠性。