[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在审
| 申请号： | 202110245490.1 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113035259A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;雷泰 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 刘晓燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，以预设测试单元为单位对存储阵列进行遍历直至遍历完存储阵列的所有存储单元，预设测试单元包括存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据按照预设顺序对目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，实现了矩阵跳转访问，模拟了非连续访问的情况，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。 | ||
| 搜索关键词： | dram 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳佰维存储科技股份有限公司，未经深圳佰维存储科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110245490.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
