[发明专利]镓金属薄膜的制作方法以及氮化镓衬底的保护方法在审
| 申请号： | 202110245804.8 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113053731A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邵凯恒;蔡亚伟;夏嵩渊;张育民;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种镓金属薄膜的制作方法，其中，利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜。还提供了一种氮化镓衬底的保护方法。本发明通过在衬底表面制作镓金属薄膜，能够防止衬底表面直接暴露于空气中。在这种情况下，在衬底上进行III‑V族半导体材料的外延生长时，衬底和外延生长的III‑V族半导体材料层之间形成的再生长界面就不会出现杂质元素的聚集现象，从而根本上解决了由III‑V族半导体材料制作的器件的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 制作方法 以及 氮化 衬底 保护 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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