[发明专利]加强环在审
| 申请号： | 202110246356.3 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113394171A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 伊兰·朗古特;贝里·哈拉契米 | 申请（专利权）人： | 迈络思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 贺征华 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开的实施方式提供了适合用于硅裸片靠近封装边缘的ASIC封装件中的比硅高的加强环。加强环被配置为允许接近紧邻ASIC封装件边缘的硅裸片的背面的直接散热。用于ASIC封装件的加强环具有不均匀的横截面，并且可以包括阶梯状的横截面。加强环可以包括高度大于外围硅裸片的高度的第一区段和高度小于或等于硅裸片的高度的第二区段。 | ||
| 搜索关键词： | 加强 | ||
【主权项】：
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