[发明专利]一种低方阻、超洁净石墨烯透明导电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110249209.1 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113023719A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王作智;张志坤;汪伟;刘兆平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194;C01B32/186;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王欢 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低方阻、超洁净石墨烯透明电极及其制备方法，方法包括以下步骤：采用化学气相沉积法在金属基底上沉积(2～8)层石墨烯；对长有石墨烯的基底进行处理，得到处理后长有石墨烯的基底；将所述处理后长有石墨烯的基底置于刻蚀液中刻蚀，清洗干净后转移至掺杂剂溶液中，再转移至目标基底，烘干，得到石墨烯透明电极；所述刻蚀液和掺杂剂溶液的表面张力为0.01～1000N/m。本发明制备的石墨烯薄膜表面无任何杂质；掺杂剂位于少层石墨烯和基底之间，缺陷较少的少层石墨烯减少了掺杂剂与外界的接触机会，因此，掺杂的后石墨烯薄膜的方阻在较长时间内保持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低方阻 洁净 石墨 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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