[发明专利]一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片在审
| 申请号： | 202110249409.7 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN112864229A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 毛淑娟;刘战峰;殷华湘;刘金彪;王桂磊;李永亮;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片，涉及半导体技术领域，用于在制造锗基NMOS晶体管时，降低N型杂质激活温度，防止利用锗基NMOS晶体管作为三维异质集成芯片所包括的上层器件的情况下，引起三维异质集成芯片所包括的底层器件的性能退化，提升三维异质集成芯片的工作性能。所述NMOS晶体管的制造方法包括：在基底上形成鳍状结构。鳍状结构的材质为锗。向鳍状结构所包括源区形成区和漏区形成区内掺杂N型杂质。形成至少覆盖在源区形成区和漏区形成区上的金属层。对形成有鳍状结构和金属层的基底进行低温退火处理，以在源区形成区和漏区形成区内分别形成源区和漏区，在源区上形成第一金属接触层、以及在漏区上形成第二金属接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 晶体管 及其 制造 方法 三维 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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