[发明专利]一种源区自对准垂直沟道MOS集成电路单元及其实现方法在审
| 申请号： | 202110249557.9 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113013234A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李平;胡兆晞;廖永波;聂瑞宏;彭辰曦;李垚森;冯轲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术和集成电路领域，尤其涉及一种自对准MOSFET结构及其制造方法。基于此前提出的纵向基本单元结构，为了进一步提高集成度，本发明专利提出了一种新型的纵向器件结构的制造工艺和实现方法。由于更多地利用纵向上的空间，也通过源区自对准的特殊工艺，免去了器件表面开孔的面积占用，每个器件在平面维度上几乎只占用了源栅漏电极的有效区域，而不需要多余的面积占用，集成度大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 垂直 沟道 mos 集成电路 单元 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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