[发明专利]半导体存储装置在审

申请号：	202110250478.X	申请日：	2021-03-08
公开（公告）号：	CN114203712A	公开（公告）日：	2022-03-18
发明（设计）人：	渡会亜友美;岩崎太一;松浦修武;广津佑;松本壮太	申请（专利权）人：	铠侠股份有限公司
主分类号：	H01L27/11524	分类号：	H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;G11C16/08
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	杨林勳
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	实施方式的半导体存储装置包含衬底(20)、源极线(SL)、多个字线(WL)、柱(MP)、外周导电体层(62)、下层导电体层(73)、及第1接点(C3L)。源极线(SL)在核心区域(MA)中设置在衬底(20)的上方。柱(MP)的底部到达源极线(SL)，与多个字线(WL)的交叉部分分别作为存储单元发挥功能。外周导电体层(62)在第1区域(WR)中包含在具备源极线(SL)的第1层中，且以包围核心区域(MA)的方式设置。下层导电体层(73)在第1区域(WR)中包含在第2层(D2)中。第1接点(C3L)在第1区域(WR)以包围核心区域(MA)的方式设置在下层导电体层(73)之上，上端包含在第1层中，且与外周导电体层(62)电连接。
搜索关键词：	半导体存储装置
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