[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110250482.6 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN112993101B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上先生长复合层，复合层包括依次层叠在衬底上的第一AlInGaN层、AlGaN层及第二AlInGaN层，AlGaN层上具有多个相互间隔的且延伸至衬底的凹槽。暴露的第一AlInGaN层可以与第二AlInGaN层相接，缺陷会被凹槽侧壁暴露的第一AlInGaN层与AlGaN层阻挡。第二AlInGaN层的Al原子及In原子半径较大，促进第二AlInGaN层的快速生长的同时，有效提高第二AlInGaN层的质量，并提高在第二AlInGaN层生长的n型GaN层及多量子阱层的晶体质量，最终得到的发光二极管外延片的质量可以得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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