[发明专利]一种新型DRAM结构及实现方法在审
| 申请号： | 202110252584.1 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113013167A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李平;唐瑞枫;廖永波;彭辰曦;李垚森;聂瑞宏;冯轲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型DRAM结构及实现方法，包括纵向环栅结构晶体管和沟槽电容器。其中纵向结构晶体管的栅极可以自定义实现单面、双面、三面或四面导电，具有极大的灵活性。同时，DRAM结构连接的电容采用沟槽电容器，其与纵向结构晶体管通过另一深沟槽进行隔离，沟槽既用于形成晶体管，同时也形成电容，该工艺方法完全兼容现有CMOS工艺，结构整体可以根据需要做在不同的P阱或N阱中，对应形成NMOSFET或PMOSFEET。计算结构和存储结构直接相连，可实现存算一体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 dram 结构 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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