[发明专利]一种SiC-MOSFET模块的驱动方法在审
| 申请号： | 202110252881.6 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113037261A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 白欣娇;崔素杭;李帅;张策;李婷婷;袁凤坡;曹世鲲;敖金平 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 张梅申 |
| 地址： | 050200 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SiC‑MOSFET模块的驱动方法，包括以下步骤：检测采样，使用电压检测设备对电阻两端的实时电压进行检测，根据实时电压对栅极驱动电路进行调节；再将实时电压V‑s分别与参考电压V‑ref、V‑shut1或V‑shut2进行依次比较，将比较结果输入至信息发送装置中；该一种SiC‑MOSFET模块的驱动方法，通过在驱动方法中设置检测采样、存储计算、互补判断、时序判断、芯片控制、故障判断、脉冲生成七个步骤，使内外管发生故障时，不需要先关断外管、后关断内管才能保证SiC‑Mosfet在短路耐受时间内关断；通过对控制芯片的有效使用，使分级关断策略的效率被提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 模块 驱动 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同辉电子科技股份有限公司，未经同辉电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110252881.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
