[发明专利]铟蒸发舟有效
| 申请号： | 202110254056.X | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113088891B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;聂媛;谢珩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种铟蒸发舟，铟蒸发舟用于盛放铟并将铟加热蒸发至半导体器件，以进行半导体器件的焊接和互连，铟蒸发舟包括：筒体和折流组件，筒体具有盛放铟的容纳腔；折流组件靠近容纳腔的开口设置，折流组件构造出折流通道，铟在折流通道流动时，至少发生一次路径弯折；其中，当筒体被加热时，容纳腔内的铟蒸发，并经折流通道流出容纳腔。根据本发明的铟蒸发舟，在容纳腔的开口处设置有折流组件，折流组件构造出折流通道内，被加热蒸发的铟在折流通道内弯折流动，有效避免了铟发生喷溅而在半导体器件上形成粗大颗粒和喷溅点的问题，而且，可以提高半导体器件上铟膜层的厚度均匀性，从而提高半导体器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 | ||
【主权项】：
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