[发明专利]使用双自由层的磁传感器电桥在审
| 申请号： | 202110254168.5 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113848517A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘小勇;Q·勒;Z·白;D·毛里;Z·李;K·S·胡;T·A·阮;R·纳加比拉瓦 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“使用双自由层的磁传感器电桥”。本公开整体涉及利用双自由层(DFL)结构的传感器装置，诸如磁传感器电桥。该装置包括多个电阻器，每个电阻器包括相同的DFL结构。与DFL结构相邻的是磁性结构，该磁性结构可包括永磁体、其上具有合成AFM(SAF)结构的反磁铁(AFM)层、其上具有SAF结构的永磁体或者其上具有铁磁层的AFM层。DFL结构与磁性结构的不同层对准以区分电阻器。不同的对准和/或不同的磁性结构由于降低的复杂性而减少了生产时间，从而降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 自由 传感器 电桥 | ||
【主权项】：
暂无信息
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