[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202110254743.1 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113097073A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 曹正义;吴云;魏仲夏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆烨 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管的制备方法，具体为：步骤1：在衬底上生长栅介质薄膜，然后将衬底至于腐蚀液中静置，直至衬底完全溶解，且介质薄膜漂浮于腐蚀液的液面上；步骤2：将栅介质薄膜转移至去离子水中，清洗掉栅介质薄膜上残留的腐蚀液；步骤3：采用设置有二维材料的衬底将栅介质薄膜从去离子水中捞起，并进行低温烘烤，去除残留的去离子水；步骤4：制备源、漏电极；步骤5：制备栅电极，从而完成场效应晶体管的制备。本发明采用液相转移的方法转移到二维材料上，减少了介质直接在二维材料上生长造成的损伤，保护了二维材料，有利于提高二维材料晶体管的频率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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