[发明专利]栅极结构中氮化钛层厚度的确定方法、装置、设备与介质有效
| 申请号： | 202110255733.X | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113053767B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王健;毛宏坤;李承启;杨一鸣 | 申请（专利权）人： | 普迪飞半导体技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 李茂林;徐海晟 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅极结构中氮化钛层厚度的确定方法、装置、设备与介质，栅极结构中氮化钛层厚度的确定方法，包括：获取N个栅极结构的栅极电阻信息，每个栅极结构均包括至少一层氮化钛层，每个栅极结构中，至少有一层氮化钛层与其他栅极结构的氮化钛层是同类的，针对于任意两个栅极结构，至少有一层氮化钛层是不同类的，同类的氮化钛层所形成的电阻、厚度是相同的；其中的N为大于或等于2的整数；根据所述N个栅极结构的栅极电阻信息，确定所述N个栅极结构中至少部分氮化钛层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 氮化 厚度 确定 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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