[发明专利]中央处理器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110256421.0 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113096706B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘鹤;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种中央处理器(CPU)及其制造方法。其中，CPU包括：至少一个内核；与所述内核信号连接的多级缓存器；其中，所述多级缓存器中不同级的缓存器包括相变存储器中不同层的存储单元层；所述相变存储器包括多层堆叠的存储单元层；所述存储单元层包括多个存储单元；以实现CPU中多级缓存器中不同级的缓存器采用同一相变存储器中不同层的存储单元层；其中，相变存储器较小的体积可以使CPU最终尺寸明显的减小，从而减小CPU内核到各级缓存器之间的延迟，且相变存储器较高的容量可以使得更多的数据通过多级缓存器来进行交换，从而提高缓存数据的使用量，如此，本发明实施例提供的CPU具有较佳的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 中央处理器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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