[发明专利]稳压二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202110257099.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112908850A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种稳压二极管的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成外延层，对所述外延层进行离子注入以在所述外延层中形成若干阱区；在所述外延层上形成硅化物层，所述硅化物层覆盖所述外延层；刻蚀所述硅化物层的部分厚度以使所述硅化物层中形成若干凸起部，所述凸起部位于所述阱区的中心区域的上方；对所述凸起部相对的两侧下方的所述阱区分别进行离子注入，以形成第一掺杂区和第二掺杂区。本发明以解决稳压二极管的击穿电压不符合设计要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
