[发明专利]一种半导体器件建模方法及装置在审
| 申请号： | 202110259512.X | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN112883675A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李垌帅;卜建辉;王成成;刘海南;赵发展;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件建模方法及装置，其中方法包括：基于BSIMSOI模型在器件模型漏端增加压控电阻，获得子电路模型；然后，基于子电路模型，提取子电路模型的模型参数。本发明通过在BSIMSOI模型的基础上进行改进，添加了一压控电阻后可有效的解决器件模型中由于欧姆接触和冻析效应所产生的偏差问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 建模 方法 装置 | ||
【主权项】：
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