[发明专利]功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法在审
| 申请号： | 202110259657.X | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113092975A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李晶晶;谢晋春 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，包含：步骤1，首先确定BV测试时的首尾测试项目的漏电流值I |
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| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 击穿 电压 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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