[发明专利]电子装置有效
申请号: | 202110259971.8 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113035888B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 王睦凯;黄国有;陈茂松 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/044;G09F9/30 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电子装置,包括基板、多条栅极线、多条数据线、多个像素结构、栅极转接线及转接结构。排列在同一行的多个像素结构按序与不同侧的数据线电性连接。栅极转接线所在的膜层与数据线所在的膜层相同。栅极转接线穿越像素结构及数据线之间而于基板上构成一跨线区域。转接结构所在的膜层不同于栅极转接线及数据线所在的膜层。在跨线区域中,栅极转接线及数据线的其中一者通过转接结构或像素结构的主动元件而跨越栅极转接线及数据线的另一者。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的