[发明专利]一种表征硅晶体中缺陷的方法有效
| 申请号： | 202110260251.3 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113109363B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 魏星;刘赟;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N21/49;G01N1/32 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 谢栒 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种表征硅晶体中缺陷的方法，所述方法包括：对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度中的至少一种确定硅晶体中存在的缺陷的类型和/或每种缺陷在水平面上存在的缺陷区间。所述方法可以减少缺陷表征周期、减少表征成本、同时表征多种缺陷(空洞，氧沉淀，位错)，还可以提高表征精度，能够实现缺陷类型与缺陷区间的区分，具有高可靠性，适用所有晶体缺陷类别，操作简便，为一种环境友好型的原生缺陷检测手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表征 晶体 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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