[发明专利]一种倒装红外发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202110260867.0 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN112968088A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 黄璐;马英杰;蔡和勋;吴奇隆 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力 |
地址: | 225101*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种倒装红外发光二极管及其制备方法,其中,所述倒装红外发光二极管的电流扩展层为铝镓铟磷层,同时在电流扩展层与第一掺杂类型限制层之间设置了一层第一过渡层,所述第一过渡层的铝组分接于所述电流扩展层与所述第一掺杂类型限制层之间,这种二极管结构使得电流扩展层的厚度可以较薄,避免了电流扩展层生长过程中长晶质量难以控制的问题,同时第一过渡层的存在还解决了电流扩展层衔接第一掺杂类型限制层表面差的问题,使得外延层生长质量较好,大大减少了生长工艺的复杂性和成本,以有效地改善外延片表面,提高光效。进一步,由于所述电流扩展层为铝镓铟磷层,可有效控制电流扩展层的粗化深度,大大减少芯片工艺的复杂性和成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 红外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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