[发明专利]一种SiO2在审

专利信息
申请号: 202110261437.0 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN113024122A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 袁烨;童建喜;石珊;张彩霞;李进;徐红梅 申请(专利权)人: 嘉兴佳利电子有限公司
主分类号: C03C10/14 分类号: C03C10/14;C03B19/06
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 徐金杰
地址: 314003 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法。一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料,由重量百分比为30%‑50%的硼硅酸盐玻璃、30%‑55%的SiO2和1%‑15%的析晶控制添加剂组成。本发明还公开了SiO2系高频低介低温共烧陶瓷的制备方法。该陶瓷材料可以在840‑900℃温度下烧结致密,10GHz高频下介电常数为4.0‑4.5,介电损耗小于0.3%。本发明材料可广泛应用于LTCC耦合器、功分器、天线、滤波器等高频元器件的制造。本发明通过引入析晶控制添加剂,有效控制SiO2多晶转变,显著改善陶瓷的表面开裂问题,大大提高了元器件可靠性。
搜索关键词: 一种 sio base sub
【主权项】:
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