[发明专利]一种钨复合膜层及其生长方法、单片3DIC有效
| 申请号： | 202110261450.6 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113053804B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 刘战峰;殷华湘;刘卫兵;毛淑娟;罗彦娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 丛洪杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钨复合膜层及其生长方法、单片3DIC，属于半导体制造技术领域，解决了现有方法生长的钨应力大，导致单晶硅层起皱的问题。钨复合膜层位于半导体衬底上，包括靠近半导体衬底侧的第一膜层和远离半导体衬底侧的第二膜层；第一膜层和第二膜层的应力方向相反；第一膜层的应力为压应力，第二膜层的应力为张应力；第一膜层包括多个膜层。钨复合膜层的生长方法，包括：在半导体衬底上生长第一膜层；在第一膜层上生长与第一膜层的应力方向相反的第二膜层本发明实现了钨复合膜层的低应力化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 及其 生长 方法 单片 dic | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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