[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110266480.6 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN112909167B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;项金娟;刘卫兵;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 马东伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器技术领域，解决了现有技术中器件高低阻态及多值存储的实际控制困难、工艺重复性差的问题。本发明阻变存储器包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极；所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层。本发明可以实现可控的高低阻态和多值存储特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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