[发明专利]一种Sn-Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110267081.1 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113078261B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王嘉赋;袁宇辉;余念念;孙志刚 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 陈建军 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开一种Sn‑Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法。该Sn‑Se系列超晶格相变存储材料由单层SnSe薄膜和单层SnSe |
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| 搜索关键词： | 一种 sn se 系列 晶格 相变 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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