[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在审
| 申请号： | 202110268041.9 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113410211A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | J·D·格林利;C·G·埃莫;L·富马加利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;C·W·佩茨;E·A·麦克蒂尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及形成微电子装置的方法，以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括第一导电结构、阻挡结构、导电衬里结构和第二导电结构。所述第一导电结构在第一介电结构中的第一填充开口内。所述阻挡结构在所述第一介电结构中的所述第一填充开口内且竖直地上覆所述第一导电结构。所述导电衬里结构在所述阻挡结构上且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内。所述第二导电结构竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 微电子 装置 方法 以及 相关 存储器 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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