[发明专利]一种并联MOSFET的高频电路驱动电路在审
申请号: | 202110268673.5 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN112821732A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 彭咏龙;李亚斌;马锡浩;冯海龙;李蕊 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学(保定) |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 杜阳阳 |
地址: | 071003 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路,所述驱动电路包括:驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块;所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接,所述驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号,并输出给所述脉冲隔离模块;所述脉冲隔离模块的输出端与所述脉冲处理模块的输入端连接,所述脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本发明采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动,无需直插电容,克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷,减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 并联 mosfet 高频 电路 驱动 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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