[发明专利]一种薄膜刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110268836.X | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113161236A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 黄立;马占锋;汪超;王春水;高健飞;黄晟 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜刻蚀技术领域，提供了一种薄膜刻蚀方法，用于多层金属薄膜的刻蚀，包括如下步骤：S1，先采用第一层光罩通过刻蚀工艺对第一层的薄膜进行刻蚀；S2，再采用尺寸大于第一层光罩的第二层光罩通过刻蚀工艺对第二层的薄膜进行刻蚀；S3，重复所述S2步骤，接着依次往下刻蚀第三层的薄膜至第N层的薄膜；S4，最后对中间层剩余的薄膜再次进行刻蚀，得到稳定的结构，该稳定的结构包括完好的底层的薄膜以及底层以上的各层薄膜的侧壁近乎垂直，所述中间层为除第一层的薄膜和底层的薄膜以外的各层的薄膜。本发明既可以避免干法刻蚀无法停留在薄钛薄膜上的问题，同时也可以避免湿法刻蚀侧向腐蚀太多而不利于后续工艺的继续和整个结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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