[发明专利]在交叉点存储器阵列中形成选择器的亚阈值电压在审

专利信息
申请号: 202110269121.6 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN113808648A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: Y·全 申请(专利权)人: 闪迪技术有限公司
主分类号: G11C16/12 分类号: G11C16/12;G11C16/34;G11C5/14;G11C7/18;G11C8/14
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐东升
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为“在交叉点存储器阵列中形成选择器的亚阈值电压”。本发明描述了用于在存储器设备诸如交叉点存储器阵列中形成选择器的装置和技术。阈值开关选择器与存储节点中的切换电阻的存储器单元串联。在该阵列中的第一切换操作之前,施加激励到该存储节点以将该选择器从具有初始阈值电压的初始状态转换到具有较低的操作阈值电压的操作状态。该激励可包括具有不超过该操作阈值电压的电压的信号。为了限制峰值电流消耗,该激励可被施加到该阵列的不同子集,一次一个子集。
搜索关键词: 交叉点 存储器 阵列 形成 选择器 阈值 电压
【主权项】:
暂无信息
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