[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在确保第一晶体管和第二晶体管所具有的阈值电压不同的情况下，简化半导体器件的制造过程，提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括：衬底、缓冲层、第一晶体管和第二晶体管。缓冲层形成在衬底上。第一晶体管形成在缓冲层上。第二晶体管形成在第一晶体管上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管和第一晶体管均为环栅晶体管。第二晶体管所包括的第二沟道区和第一晶体管所包括的第一沟道区的材质均为锗硅，且第二沟道区和第一沟道区中锗的含量不同。本发明提供的半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。