[发明专利]激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110270751.5 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN112684677B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 陈林森;浦东林;张瑾;朱鸣;朱鹏飞;乔文;朱昊枢;刘晓宁;邵仁锦;杨颖 申请(专利权)人: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G06T17/00
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 庞聪雅
地址: 215123 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构及其制备方法。所述制备方法包括:提供三维模型图;将所述三维模型图在高度方向上进行划分,获得至少一个高度区间;将三维模型图在平面上进行投影得到映射关系,映射关系包括三维模型图上每个点对应在平面上的坐标,三维模型图上每个点的高度对应高度区间里的高度值,根据所述映射关系,将映射关系与曝光剂量进行对应,基于所述曝光剂量进行光刻。这样,可以得到任意三维微纳形貌结构。
搜索关键词: 激光 光刻 机制 三维 形貌 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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