[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110271556.4 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN115084139A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 裴俊植;高建峰;刘卫兵;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；位于所述线形功能部之间的空气隙；其中，所述空气隙由氮化物构成的底壁、侧壁和顶壁共同包围形成，并且所述顶壁具有被金属间介电层封堵的开口。本申请半导体结构中的线形功能部件，其侧壁外除了一层氮化物侧墙外，都有效形成了空气隙，从而能够最大限度降低寄生电容；同时，本申请的空气隙的制备工艺无需通过多重图形化的工艺进行侧墙处理而仅需要沉积一层氮化物后直接在需要形成空气隙的位置通过光刻等工艺进行图形化处理，工艺简单，更便于根据需要形成空气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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