[发明专利]具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器有效
| 申请号： | 202110273425.X | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113808625B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | C-C·胡;Y-H·王;M·毛;李冠雄;D·毛里;刘小勇;Y·冈田;A·罗伊;C·钱;H·刘 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/23;G11B5/11 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的名称为具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器。本公开大体上涉及一种具有磁性隧道结(MTJ)的二维磁记录(TDMR)读头。上部读取器和下部读取器两者具有在两个屏蔽件之间的双自由层(DFL)MTJ结构。合成反铁磁(SAF)软偏置结构界定所述MTJ，且后硬偏置(RHB)结构安置在所述MTJ后方。所述DFL MTJ减小所述上部和下部读取器之间的距离，且因此改进面密度能力(ADC)。此外，所述SAF软偏置结构和所述后头偏置结构使所述双自由层MTJ在面向介质的表面(MFS)处具有剪刀状态磁矩。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自由 磁性 隧道 二维 记录 读取器 | ||
【主权项】：
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