[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其工艺方法有效
| 申请号： | 202110274425.1 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113066866B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;黄薛佺;杨卓 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件，包括高浓度N型漏极及漏极金属，在高浓度N型漏极上设有N型外延层作为MOSFET器件的漂移区，在N型外延层上方设有间隔的P型体区，在P型体区内设有高浓度的N型源极，在N型源极外侧设有高浓度的第一P型源极，在N型外延层表面还设有栅极氧化层，栅极氧化层起始并终于两个相邻的N型源极上方，栅极氧化层上方设有栅极多晶硅，N型源极和第一P型源极表面还设有源极金属，源极金属和栅极多晶硅之间设有绝缘介质层隔离；P型体区和N型源极分别向两侧设有凹陷区域，凹陷区域在Y方向上间隔设置，且P型体区包围N型源极，所述凹陷区域内设有高浓度的第二P型源极。本发明提高了器件的短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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