[发明专利]高可靠的碳化硅MOSFET器件及其工艺方法有效
| 申请号： | 202110274452.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113066867B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;黄薛佺;杨卓 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高可靠的碳化硅MOSFET器件，包括N+型漏极06和漏极金属09，在N+型漏极06上设有N型外延层04作为MOSFET器件的漂移区，在N型外延层04上方设有两个P型体区03，在P型体区03内设有N+型源极02，在N+型源极02外侧设有P+型源极01，在N型外延层04表面还设有栅极氧化层10，栅极氧化层10起始并终于两个相邻的N+型源极02上方，栅极氧化层10上方设有栅极多晶硅05，N+型源极02和P+型源极01表面还设有源极金属08，源极金属08和栅极多晶硅05之间设有绝缘介质层07隔离；P型体区03由两次P型注入形成，第一P型体区03a的结深比第二P型体区03b的结深浅，且第一P型体区03a的注入宽度大于第二P型体区03b的注入宽度。提升了SiC器件的短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠 碳化硅 mosfet 器件 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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