[发明专利]一种倒装LED芯片的共晶电极结构在审
| 申请号： | 202110274952.2 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112968098A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;易翰翔;李玉珠;张洪安;武杰 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;管莹 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片的共晶电极结构，包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。本发明中的Ti金属层形成良好的欧姆接触并粘附在芯片上；Ni金属层或Ni合金层能够作为抗锡渗透的阻挡层；Au金属层用于连接Ni金属层或Ni合金层与SnAu基合金层；SnAu基合金层作为焊接层，其为多周期结构能够避免锡膏向下渗透至芯片；可见，本发明通过Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层的复合设计，能够提高电极的抗锡渗透性，且电极的内部结构牢固。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 电极 结构 | ||
【主权项】：
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