[发明专利]一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110275151.8 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113136641B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吕燕飞;彭雪;蔡庆锋;赵士超 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | D01F9/14 | 分类号： | D01F9/14;C23C16/26 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 非晶碳 中空 纤维 制备 方法 | ||
【主权项】：
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