[发明专利]一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法在审
| 申请号： | 202110276280.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113026095A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有PVT法制备碳化硅晶体生长速率慢的问题，本发明提供了一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，以不同粒径碳化硅粉混合制备碳化硅粉料，真空条件下加热至400～800℃并保持2h，充入氩气后继续加热至晶体生长温度开始晶体生长，完成晶体生长后自然冷却，得到碳化硅晶体。本发明利用不同粒径碳化硅粉按不同比例混合之后进行PVT法碳化硅晶体生长，大颗粒的碳化硅粉提供足够的颗粒间隙促进气相物料输运，小颗粒的碳化硅粉提供足够的活性表面产生充足的反应气相，使得两方面得到同时提升，显著提升了晶体生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 pvt 法制 碳化硅 晶体生长 速率 方法 | ||
【主权项】：
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