[发明专利]气体检查方法、基板处理方法以及基板处理系统在审
| 申请号： | 202110276490.8 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113451173A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 松田梨沙子;网仓纪彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体检查方法、基板处理方法以及基板处理系统，能够适当地对将气体供给部中的次级阀开启时的动作进行检查，所述气体供给部用于向基板处理装置的处理容器内供给气体。气体检查方法包括以下工序：输入将次级阀开启的信号；使用次级压力计来测定从输入将次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、流量控制器的节流孔的下游侧的压力P；使用次级压力计来测定从输入将次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、流量控制器的节流孔的下游侧的压力的标准偏差σ；将压力P与压力的阈值P0进行比较，并将压力的标准偏差σ与压力的标准偏差的阈值σ0进行比较，用以判定次级阀的开度是否正常。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 检查 方法 处理 以及 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
