[发明专利]一种单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 202110277826.2 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112811469B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 黄剑锋;罗晓敏;曹丽云;李嘉胤;王瑜航;魏世英;李心诚 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00 |
| 代理公司： | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法，将六氯化钨加入到乙醇溶液中磁力搅拌至完全溶解形成黄色的澄清溶液A；在溶液A中加入硫代乙酰胺搅拌均匀形成混合溶液；将混合溶液转移至聚四氟乙烯反应釜进行均相反应，反应结束后自然冷却至室温；取出产物依次采用无水乙醇和去离子水洗涤并离心分离后冷冻干燥得到单层或少层二硫化钨纳米材料。本发明避开了传统的剥离手段，或者复杂的工艺条件制备出单层或少层的二硫化钨纳米材料。利用低温溶剂热反应，通过控制反应时间而制备出单层或少层的二硫化钨纳米材料，其具有更多的活性位点和更大的比表面积。为高效简单的制备单层或少层二硫化钨纳米材料提供了另一条思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 少层二 硫化 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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