[发明专利]一种提升二氧化硅层耐压能力的制备方法在审
| 申请号： | 202110278171.0 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113035702A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 董彬;唐发俊;李明达;居斌;薛兵 | 申请（专利权）人： | 中电晶华（天津）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升二氧化硅层耐压能力的制备方法，对石英晶舟和碳化硅桨用酸液进行清洗；将硅衬底片装在晶舟上通过碳化硅桨从炉口送入到炉管内，硅衬底片参考面位置统一向上；从炉管当前的850℃升到1000℃，通入氢气，通入气态二氯二氢硅作为生长辅助气体，通入氧气，氢氧点火，进行湿氧化工艺，氮气停止通入；增加氧气流量，通入氢气，通入三氯乙烯气体；将温度从1000℃降至850℃，保持通入氮气，硅衬底片上形成了二氧化硅层；将二氧化硅层放入氮气退火炉进行退火，至此整套工艺完成。显著优化了二氧化硅层的质量，电压耐受能力可以达到90V~100V的水平，能够满足目前终端客户对电压耐受能力指标要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 二氧化硅 耐压 能力 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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