[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110278834.9 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN115084263A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡巧明;马丽莎 | 申请（专利权）人： | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一器件区，第一器件区包括沟道区、以及与沟道区相隔离的源漏区，源漏区和沟道区之间的基底中形成有隔离结构，在第一器件区中，沟道区的基底顶面低于源漏区的基底顶面；在第一器件区中，在沟道区的基底表面形成栅氧化层；在栅氧化层上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构延伸至沟道区基底和隔离结构的交界处并覆盖隔离结构的部分顶部；在第一栅极结构的侧壁形成保护层，保护层还延伸覆盖隔离结构的部分顶部，并露出源漏区的基底。保护层能够较好地覆盖所述第一栅极结构和隔离结构的拐角处，从而在后续的清洗过程中，增强了对第一栅极结构侧壁的保护，进而提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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