[发明专利]一种具有类超晶格材料功能层的忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110280030.2 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113078262B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;朱云来;何柱力;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 王世芳;曹葆青 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有类超晶格材料功能层的忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域，其包括上电极、功能层和下电极，所述功能层由硫系材料和氧化物材料层叠而成，硫系材料和氧化物材料均为类超晶格材料。其功能层具有多个重复单元，每个单元为一层硫系材料和一层氧化物材料层叠而成，整个功能层中，硫系材料和氧化物材料交替层叠。本发明还提供了以上忆阻器的制备方法。本发明通过对该忆阻器中功能层进行改进，采用基于硫系/氧化物的类超晶格结构，利用硫系材料的晶体特性，金属导电丝沿着晶界生长，降低金属导电丝的随机性，提高忆阻器的电阻一致性。本发明制备方法步骤简单，方便易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 材料 功能 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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