[发明专利]半导体装置和其形成方法在审
| 申请号： | 202110280302.9 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114551578A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 唐瀚楀;张宏台;游明华;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物以及在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域，第一磊晶源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面，第一平面正交于基板的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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