[发明专利]一种CdSeS幻数纳米团簇、其制备方法及其用途有效
| 申请号： | 202110280952.3 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113046083B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘跃辉;余睽;朱金铭;傅敏;张猛;陈晓琴;栾超然;黄文;李幼萍;张伯礼 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 张娟;郑勇力 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体发光材料技术领域，具体涉及一种幻数纳米团簇、其制备方法及其用途。本发明提供的幻数纳米团簇是以CdS单体置换CdSe幻数纳米团簇表面的CdSe单体后形成的CdSeS幻数纳米团簇。本发明还提供上述幻数纳米团簇的制备方法及其用途。本发明的CdSeS幻数纳米团簇的发光兼具发射峰波长蓝移和高量子产率的特点，克服了现有的CdS包覆CdSe量子点材料中无法避免发射峰红移的缺陷。其作为蓝光发射材料具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdses 幻数 纳米 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
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