[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110281276.1 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN112993100B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 徐西贤;曹阳 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长叠氮化铷层，叠氮化铷层具有部分金属反光特性，更多的光线从p型层的一侧出射，提高发光二极管的发光效率。叠氮化铷层本身也起到一定的过渡作用，发光二极管外延片的底层质量也不会很差，保证最终得到的发光二极管外延片的质量。同时叠氮化铷层上具有多个相互间隔的且延伸至衬底表面的凹槽，凹槽之间的叠氮化铷层起到间隔与阻挡位错作用，使得叠氮化铷层上生长的外延膜层在凹槽内快速沉积生长，且质量也较好，提高最终得到的发光二极管外延片质量的同时有效提高发光二极管外延片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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